Домашняя страница     Написать письмо     Карта сайта
Россия, Москва
Тел: (495) 943-43-42
Тел/Факс: (495) 936-49-71
nexsys@nexsys.ru
Отрезные станки Allied Станки для монтажа проб Allied Шлифовально-полировальное оборудование Allied Оптическая микроскопия Анализ изображений Твердомеры Qness Информация о компании

NEXSYS ImageExpert Pro 3
NEXSYS ImageExpert Sample 2
NEXSYS ImageExpert MicroHardness 2
NEXSYS ImageExpert Gauge
NEXSYS ImageExpert 3D
NEXSYS ImageExpert Sequencer 4
SW Complex Analysis
Требования к компьютеру
Загрузить программу
SWComplexAnalysis



Программа для качественной и количественной оценки
неоднородностей, возникающих во время эпитаксиального
роста полупроводниковых структур методом МОСГФЭ, с целью
оптимизации параметров роста и калибровки реактора.
Программный комплекс SWComplexAnalysis в научно-технической литературе:

Решаемые задачи:
  • Построение карт сопротивления пластин: анализ однородности легирования;
  • Обработка и визуализация данных, получаемых с установки фотолюминесцнции: карты фотолюминесценции и отражения на белом свете брэгговского зеркала;
  • Объединение данных по отдельным пластинам в единую структуру подложконосителя;
  • Построение радиальных сечений исходных данных (линейных профилей) как пластин, так и всего подложконосителя;
  • Количественный анализ неоднородности: статистический анализ данных;
  • Визуализация структуры камеры реактора роста совместно с анализируемыми данными.
Wafer mapping – Модуль построения карты электросопротивления и электропроводимости (картографирование данных) Трёхмерная визуализация – Карта поверхностного электросопротивления в 3D
SWComplexAnalysis позволяет строить карты и трёхмерные профили сопротивления и проводимости по данным, получаемым с оборудования для измерения сопротивления. Данные можно вносить в программу вручную или импортировать (через буфер обмена) из Excel файла. Карты сопротивлений и проводимости сохраняются на жёстком диске для дальнейшей коррекции, статистического анализа, автоматического расположения по структуре подложконосителя и 3D-визуализации.
Программа позволяет открывать файлы с данными, полученными с установки фотолюминесценции. Файлы должны быть сохранены в формате ASCII Data file, иметь расширение *.dat и иметь структуру XY Data Array (задаётся в момент сохранения). Программа считывает параметры разрешения съёмки (Resolution) и диаметр сканируемой области (ScanDiam). Далее считывается блок данных PeakLambda или SBCenter в зависимости от типа проводимого измерения: Spectral Map (фотолюминесценция – методика контроля состава полупроводникового слоя по ширине запрещённой зоны) или VCSEL Map (спектрофотометрия отражения брэгговского зеркала – методика контроля толщины слоя). Данные файлы можно открывать в 3D для количественного и качественного анализа, а также в отдельном модуле для коррекции выбросов. Статистический анализ данных на примере фотолюминесценции – количественная оценка неоднородности по ширине запрещённой зоны
SWComplexAnalysis позволяет выбирать (при необходимости - редактировать) подложкодержатель, визуализировать его структуру: количество пластин, их диаметр, расположение и др. Выбирая номер запуска/прогона реактора, программа автоматически ищет файлы с данным номером и объединяет их согласно структуре подложкодержателя. Таким образом, можно анализировать карты (трёхмерные профили) сразу всех или нескольких пластин на подложкодержателе. При необходимости можно изменить расположение пластин на подложконосителе или сделать кольцевые усреднения данных (согласно радиальной симметрии), что позволяет использовать минимальное количество тестовых пластин для анализа распределения неоднородности по всему подложконосителю. Качественный и количественный анализ таких объединённых структур позволяет делать выводы о процессах и распределении газовых потоков в камере реактора, что необходимо для его калибровки.

Carrier editor – Редактор конфигурации (геометрических параметров) подложконосителя и объединение данных в единую структуру Варианты реконструкции по данным двух исходных образцов – подложкодержатель, вид сверху SWComplexAnalysis позволяет визуализировать основные элементы камеры реактора, такие как: расположение точек впрыска газов, пирометров, дифлектометров, размеры самой камеры. Совмещение визуализируемых данных по всему подложконосителю и структуры камеры реактора позволяет максимально удобно проводить качественный анализ и делать выводы о распределении газовых потоков в реакторе.
Программа позволяет проводить простые линейные измерения в реальных физических величинах непосредственно в режиме трёхмерного просмотра, что позволяет быстро находить расстояния между интересующими областями и их расположение на образцах, или решать другие задачи.
Программа позволяет делать базовый статистический анализ входных данных: подсчёт среднего арифметического, медианы, стандартного отклонения, коэффициента вариации, построение аппроксимирующей плоскости по методу МНК и др. Такой анализ необходим для количественной оценки неоднородности и контроля качества выращиваемых структур от партии к партии, что позволяет вовремя перейти от этапа непрерывного производства к этапу калибровки реактора. Построение радиальных сечений (линейных профилей) различных данных, как по отдельным пластинам, так и по всему подложконосителю, и экспорт полученного профиля будет полезен для глубокого математического анализа данных в других прикладных программах. Радиальное сечение (линейный профиль) вдоль радиуса камеры реактора МОСГФЭ (MOCVD)
Помимо главных задач, связанных с контролем качества роста полупроводниковых структур и оценки неоднородности, возникающей во время МОСГФЭ, программа может открывать, анализировать и отображать в 3D текстовые файлы с массивом вершин, а также проводить количественный анализ яркости (и построение трёхмерного профиля) изображений по четырём моделям расчёта светимости. В программу также включён инструмент для визуальной оценки длины волны светящегося объекта по его фотографии.
Пользователи SWComplexAnalysis получают полную техническую поддержку в течение одного года и сервисную поддержку на протяжении всего периода эксплуатации. В пределах номера текущей версии пользователи могут бесплатно обновлять программное обеспечение, скачивая обновления на странице Центр загрузки программ.
Программа не предъявляет особых системных требований и работает на всех современных компьютерах под управлением операционной системы Windows XP/Vista/7/8. Для функционирования программы требуется наличие свободного USB порта для подключения электронного ключа защиты, разрешение экрана не менее 1024х768, а также наличие актуальной версии драйвера OpenGL.


Программный комплекс непрерывно развивается и совершенствуется. Мы будем рады учесть Ваши предложения и пожелания.


Визуализация камеры реактора MOCVD (МОСГФЭ) совместно с анализируемыми данными спектрофотометрии – Контроль однородности полупроводникового слоя по толщине     Общий вид программы SWComplexAnalysis – заполненный подложконоситель с данными спектрофотометрии (отражение брэгговского зеркала на белом свете)


Литература:
  1. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2013612996 от 20.03.2013
  2. Лебедев А.А., Цыникин С.А., Леднев А.М., Жалнин Б.В., Обручева Е.В., Каган М.Б. Система контроля параметров эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур солнечных элементов космического назначения // Автономная энергетика: технический прогресс и экономика. 2013. №31; (стр.15-24)
  3. Лебедев А.А., Цыникин С.А., Леднев А.М. Программа визуализации и оценки неоднородности эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур при изготовлении солнечных элементов космического назначения // Новые материалы и технологии для ракетно-космической и авиационной техники. Сборник материалов молодежной конференции. // г.Королёв, 2013. (стр.54-60)